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12/03/2004
-
12h35
da Folha Online
Cientistas podem ter encontrado uma maneira de fazer com que o óxido de háfnio se torne em um isolante promissor para a próxima geração de microchips.
O óxido de háfnio teoricamente é bem mais eficiente na prevenção de vazamentos de correntes elétricas dos semicondutores do que o óxido de silício, atualmente usado nos processadores. A substância, porém, ainda apresenta falhas que provocam quedas na corrente elétrica.
Uma equipe de pesquisadores da IBM e do Nist (Instituto Nacional de Padrões de Tecnologia), entretanto, afirma ter conseguido identificar os problemas com o óxido de háfnio. Com isso, é possível reduzir os defeitos e aproveitar melhor a substância na fabricação de chips.
Segundo os pesquisadores, os defeitos acontecem perto do local onde o substrato de silício e o óxido de háfnio interagem. O estudo diz que são esses os lugares prejudiciais para a substância.
John S. Suehle, pesquisador do Nist, disse que as descobertas da equipe são "um importante primeiro passo" para melhorar a fabricação de microprocessadores.
Substância isolante pode ser usada em nova geração de chips
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Cientistas podem ter encontrado uma maneira de fazer com que o óxido de háfnio se torne em um isolante promissor para a próxima geração de microchips.
O óxido de háfnio teoricamente é bem mais eficiente na prevenção de vazamentos de correntes elétricas dos semicondutores do que o óxido de silício, atualmente usado nos processadores. A substância, porém, ainda apresenta falhas que provocam quedas na corrente elétrica.
Uma equipe de pesquisadores da IBM e do Nist (Instituto Nacional de Padrões de Tecnologia), entretanto, afirma ter conseguido identificar os problemas com o óxido de háfnio. Com isso, é possível reduzir os defeitos e aproveitar melhor a substância na fabricação de chips.
Segundo os pesquisadores, os defeitos acontecem perto do local onde o substrato de silício e o óxido de háfnio interagem. O estudo diz que são esses os lugares prejudiciais para a substância.
John S. Suehle, pesquisador do Nist, disse que as descobertas da equipe são "um importante primeiro passo" para melhorar a fabricação de microprocessadores.
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